[ Pobierz całość w formacie PDF ]
.ÿþSPIS TREZ
CI1.PIERWSZE KROKI.11.1.Komputerowa analiza układów elektronicznych.11.2.Prosty obwód.21.3.Organizacja danych wejściowych.51.4.Podstawowe typy elementów.61.1.4.1.Opornik.61.4.2.Kondensator.61.4.3.Indukcyjność.71.4.4.Indukcyjności sprzężone.71.4.5.Bezstratna linia długa.71.4.6.Niezależne z
ródła napięcia i prądu.91.4.7.y
ródÅ‚a sterowane napiÄ™ciem.9´1.4.8.ZródÅ‚a sterowane praÛdem.91.5.WartoÅ›ci elementów.101.6.Uwagi o metodzie analizy obwodu.111.6.1.Metoda potencjałówwÄ™zÅ‚owych.111.6.2.Zmodyfikowana metoda potencjałówwÄ™zÅ‚owych.152.ANALIZA STAA
OPR
DOWA.192.1.Statyczny punkt pracy układu.192.2.Charakterystyki statyczne.202.3.Zbieżność obliczeń.222.3.1.Algorytm Newton a Raphson a.252.3.3.Parametryzacja z
ródeł.302.4.Transmitancje stałoprądowe.322.4.1.Instrukcja.TF  obliczanie transmitancji.332.4.2.Inny sposób obliczania transmitancji stałoprądowej.342.5.Wrażliwości.362.5.1.Format instrukcji.362.5.2.Projektowanie przetwornika C/A.362.5.3.Analiza Monte Carlo.403.ANALIZA ZMIENNOPR
DOWA.453.1.Analiza w dziedzinie czÄ™stotliwoÅ›ci.453.1.1.Wymuszenia.463.1.2.Modele elementów nieliniowych.463.1.3.Wzmacniacz oporowy.483.1.4.Instrukcje wyprowadzania danych.523.2.Analiza szumów.623.2.1.Modele szumowe elementów.633.2.2.Instrukcja analizy szumów.653.2.3.Szumy wtórnika napiÄ™cia  instrukcje.INC,.SUBCKT,.ENDS.664.ANALIZA STANÓW NIEUSTALONYCH.714.1.Instrukcja analizy stanów nieustalonych.724.1.1.Wymuszenia.734.1.2.Klucze.774.1.3.Linia dÅ‚uga.794.1.4.Sterowanie procesem caÅ‚kowania.834.2.UkÅ‚ady niestacjonarne.864.2.1.Idea realizacji elementów o zmiennych w czasie parametrach.864.2.2.Nieliniowe z
ródÅ‚a sterowane.884.2.3.Biblioteka elementów o wartos´ciach zalezÙnych od czasu.914.3.Analiza znieksztaÅ‚cen´ nieliniowych.944.4.Zastosowanie programu PSpice do problemów nieelektrycznych.994.4.1.Atraktor Lorentza.9 94.4.2.CzaÛstka amoniaku.1025.ELEMENTY PASYWNE  MODELE.1115.1.Jeszcze raz deklaracja modelu.1115.2.Model opornika.1125.3.Model kondensatora.1145.4.Model cewki magnetycznej.1155.5.Model kluczy sterowanych.1165.6.Model nieliniowego rdzenia magnetycznego.1165.6.1.Model materiaÅ‚u rdzenia.1185.6.2.Wyznaczanie parametrów materiaÅ‚u magnetycznego.1195.6.3.Uwagi na temat obliczania parametrów materiałów magnetyczniemiÄ™kkich.1256.ELEMENTY PÓA
PRZEWODNIKOWE.1276.1.Dioda półprzewodnikowa.1276.1.1.Deklaracja diody półprzewodnikowej.1276.1.2.Model diody półprzewodnikowej.1296.1.3.Wływ temperatury na charakterystyki diody.1346.1.4.Model małosygnałowy i model szumowy diody.1376.2.Tranzystor bipolarny.1386.2.1.Deklaracja tranzystora bipolarnego.1386.2.2.Charakterystyka statyczna tranzystora bipolarnego.1396.2.3.Pojemności.1436.2.5.Model małosygnałowy i model szumowy.1506.3.Tranzystor polowy, złączowy (JFET).1556.3.1.Deklaracja w strukturze obwodu tranzystora polowego, złą-czowego.1566.3.2.Model standardowego (Si) tranzystora polowego, złączowego.1566.3.3.Model tranzystora polowego, złączowego GaAs.1596.3.4.Model małosygnałowy i model szumowy.1636.4.Tranzystor polowy z izolowaną bramką (MOS).1646.4.1.Deklaracja tranzystora MOS w strukturze obwodu.1656.4.2.Model Shichman a Hodges a (LEVEL=1).1666.4.3.Model Meyer a (LEVEL=2).1746.4.4.Model Dang a (LEVEL=3).1846.4.5.Oporności omowe.1906.4.6.Komentarz.1906.4.7.Model małosygnałowy i szumowy.191Dodatek A  Instrukcje i deklaracje.194Dodatek B  Deklaracje elementów.207Dodatek C  Konfiguracja programu Probe.215Dodatek D  Probe  wyrażenia.217LITERATURA.219INDEKS.222 [ Pobierz całość w formacie PDF ]