[ Pobierz całość w formacie PDF ]
.9.11otrzymujemynUD + I2R2 = UBE + IE RE H" UBE + ICREüøôøUCC - nUD(9.47)ýøI2 =ôøR1 + R2þøZ ukÅ‚adu równaÅ„ (9.47) możemy wyznaczyć IC159RUCC + nUDR1 - ()R1 + R2 UBE2IC = (9.48)RE R1 + R2()Warunek peÅ‚nej kompensacji zmian napiÄ™cia UBE możemy wyznaczyć zprzyrównania do zera pochodnej dIC dT = 0, czylidUDnR1 - ()dUR1 + R2 BE = 0 (9.49)dT dTJeżeli dioda i tranzystor sÄ… wykonane w podobnym procesietechnologicznym (dioda zrealizowana jako tranzystor w poÅ‚ Ä…czeniudiodowym) i pracujÄ… w tej samej temperaturze, todUD dT H" dUBE dT (9.50)i warunek peÅ‚nej kompensacji ma postaćR2nR1 - ()R1 + R2 = 0 , czyli = n - 1 (9.51)R1Najczęściej stosuje siÄ™ dwie diody ( n = 2 ) i wówczas R1 = R2.Rozważany wczeÅ›niej ukÅ‚ad z
ródła prądu stałego na rys.9.10a jestukładem stabilizacji z jedną diodą (n = 1) i R2 = 0.9.3.2.Układy zasilania tranzystorów unipolarnychTranzystor MOSFET z kanałem zubożanym może pracowaćzarówno ze wzbogacaniem jak i ze zubożaniem.Jednakże praca zewzbogacaniem odbywa się dla małego przedziału wartości napięciabramka - z
ródło UGS.Dlatego podstawowym zakresem pracy tychtranzystorów jest praca ze zubożaniem.Tranzystory te z kanałem npracują w obszarze nasycenia przy ujemnych wartościach napięcia UGS idodatnich wartościach UDS , natomiast z kanałem p gdy polarnośćwspomnianych napięć jest zmieniona, tj.gdy napięcie UGS jest dodatniea UDS jest ujemne.Otrzymanie napięć o podanej polarności umożliwiaukład z dwoma z
ródÅ‚ami zasilania (rys.9.12).PrÄ…d bramki IG tranzystorów MOSFET jest rzÄ™du pikoamperów i jegowpÅ‚yw w obwodzie polaryzacji można pominąć.Przy takim zaÅ‚ożeniuukÅ‚ad z rys.9.12a opisujÄ… zależnoÅ›ci=-UGG - IDRSñøUGS(9.52)òøU = UDS + ID RD + RS()DDóø160+U -Ua) b)R RI IU > 0 U [ Pobierz caÅ‚ość w formacie PDF ]